Al合金電極膜およびスパッタリング用ターゲット

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227309
Publication number (International publication number)：2001053024
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチング性に優れ、Al合金電極膜とその形成に使用されるスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】本発明の電極膜はB、C、4a族、5a族、6a族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ptから選ばれる元素のうち少なくとも1種以上の元素を総量として0.1〜5原子%含有し、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Baの含有量が100重量ppm以下の残Alの組成からなりドライエッチングによりパターン形成されたものである。この電極膜は、上記組成に対応するスパッタリング用ターゲットにより得られる。

Claim (excerpt)：

B、C、4a族、5a族、6a族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ptから選ばれる元素のうち少なくとも1種以上の元素を総量として0.1〜5原子%含有し、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる元素の総含有量が100重量ppm以下、残部実質的にAlからなり、ドライエッチングによりパターン形成されたことを特徴とするAl合金電極膜。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/34 , G02F 1/1343 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (5)：

H01L 21/28 301 L , C23C 14/34 A , G02F 1/1343 , H01L 21/285 S , H01L 21/302 G

F-Term (32)：

2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA18 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 4K029AA09 , 4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4M104BB02 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104DD65 , 4M104GG20 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F004AA08 , 5F004BA04 , 5F004BB29 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB09 , 5F004DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭61-097823
Al系スパッタリング用タ-ゲット材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-114391 Applicant：日立金属株式会社
特開平4-323872

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