Pat

J-GLOBAL ID：200903064430399610

プラズマCVM加工用ガス

Inventor： 森 勇藏 ,  市丸 広志 ,  中川 伸介
Applicant, Patent owner： 森 勇藏 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277449
Publication number (International publication number)：1996134651
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVMにおける加工用ガスを提供する。【構成】F2 、インターハロゲン化物(ClF,ClF3 ,ClF5 ,BrF,BrF3 ,BrF5 ,BrF7 )および窒素フッ化物(NF3 ,N2 F4 ,N2F2 ,N3 F)のうちから選ばれた1種または2種以上を含む混合物からなる。

Claim (excerpt)：

F2 、インターハロゲン化合物および窒素フッ化物のうちから選ばれた一種または二種以上の混合物からなるプラズマCVM加工用ガス。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138845   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平3-293726
  
• 特開平1-125829
  
• プラズマ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153547   Applicant：株式会社アイ・エヌ・アール研究所