不斉銅錯体結晶の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：中山亨 , 榎本雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007264156
Publication number (International publication number)：2008133261
Application date： Oct. 10, 2007
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：

【課題】不斉銅錯体結晶の工業的に有利な製造方法を提供すること。【解決手段】式(1)(式中、R1はアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、R2は置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいフェニル基を表し、R3およびR4はそれぞれ同一または相異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、トリアルキルシリル基またはシアノ基を表す。また、*は該炭素原子が光学活性点であることを表す。)で示される光学活性なサリチリデンアミノアルコール化合物と銅化合物を反応させた後、アルコール溶媒の存在下で晶析処理を行うことを特徴とする不斉銅錯体結晶の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

式(1)

IPC (3)：

C07C 251/24 , C07C 249/02 , B01J 31/18

FI (3)：

C07C251/24 , C07C249/02 , B01J31/18 Z

F-Term (27)：

4G169AA06 , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BD06A , 4G169BD06B , 4G169BE16A , 4G169BE16B , 4G169CB57 , 4G169DA02 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB40 , 4H006AC59 , 4H006AC81 , 4H006AC90 , 4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AB40 , 4H048AC59 , 4H048AC81 , 4H048AC90 , 4H048VA20 , 4H048VA30 , 4H048VA56 , 4H048VB10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭50-24254号公報
不斉銅錯体結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-041390 Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

特開昭50-024254
不斉銅錯体結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-041390 Applicant：住友化学工業株式会社
光学活性な銅錯体ならびに光学活性なサリチリデンアミノアルコール化合物およびそれを用いる光学活性なシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-007513 Applicant：住友化学工業株式会社