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J-GLOBAL ID：200903064439409871

欠陥検査方法及び欠陥検査装置並びに欠陥検査システム

Inventor： 芝田 行広 ,  前田 俊二 ,  岡部 隆史 ,  ▼高▲原 洋一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (2)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004160630
Publication number (International publication number)：2005338027
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

【課題】 パターンの超微細化に対応した高感度欠陥検査方法及びその装置並びに高感度欠陥検査システムを提供する。 【解決手段】 本発明は、試料を薬液洗浄してリンスする洗浄槽330と、試料1と光学系の対物レンズ30の間を液体で満たす液浸手段を備えた欠陥検査装置20と、前記試料を乾燥させる乾燥槽305とを備え、前記洗浄槽330から前記欠陥検査装置の液浸手段を経由して前記乾燥槽に戻すまで試料を液体で浸した状態で搬送する液浸搬送手段156、342を設けた欠陥検査システムである。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

試料の光学像をイメージセンサで検出して試料の欠陥を検出する欠陥検査方法であって、 前記試料と前記光学像を形成する光学系の間を液浸することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (2)：

G01N21/956 ,  H01L21/66

FI (2)：

G01N21/956 A ,  H01L21/66 J

F-Term (16)：

2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BB03 ,  2G051CA03 ,  2G051CB01 ,  2G051DA08 ,  2G051DA17 ,  2G051EA11 ,  2G051EA12 ,  2G051EA23 ,  4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DB18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-263149   Applicant：株式会社日立製作所
• 投影露光方法及び装置
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP1999001262   Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (5)

• 表面パターンの検査方法及び検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-220488   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭56-111235
  
• 液浸式投影露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-339510   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造システムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-207380   Applicant：三菱電機株式会社
• 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-151985   Applicant：株式会社ニコン