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J-GLOBAL ID：200903064455899315

プラズマ処理装置

Inventor：
輿石 公

About 輿石 公


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141209
Publication number (International publication number)：2000331996
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極21,5を配置し、第1の電極21に高周波を供給する給電棒33の周囲に近接して接地された導電性の筒状部材61を設け、第1の電極21の第2の電極5に対向する面と反対側の面に近接して接地された導電性の板状部材62を設ける。そして、いずれかの電極に基板Wを支持させた状態で、第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより基板Wにプラズマ処理を施す。
Claim (excerpt)：
被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に高周波を印加する高周波印加手段と、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面と反対側の面に前記高周波印加手段から高周波電力を給電する給電棒と、前記給電棒の周囲に給電棒に近接して設けられ、接地された導電性の筒状部材と、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面と反対側の面に近接して設けられ、接地された導電性の板状部材と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記第1または第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、前記第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/50 B ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M
F-Term (59)：
4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EA06 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA17 ,  4K030KA19 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-265448   Applicant：株式会社日立製作所
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-279017   Applicant：日本真空技術株式会社

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