プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265448
Publication number (International publication number)：1999111494
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 12インチ以降の大口径ウエーハに対しても高均一性、高精度、高速といったエッチング特性を達成する。【解決手段】導体板16と誘電体15とアース電位導体板14の3層構造からなる電磁波放射アンテナに、ガスの導入経路3をアンテナ部に発生する電界強度の最大値の1/3以下の領域に貫通させて形成する。【効果】原料ガスの均一供給とプラズマ均一性の向上により、高精度な酸化膜エッチングが可能となる。

Claim (excerpt)：

容器と、前記容器に原料ガスを導入するガス導入手段と、前記原料ガスを、導体板と誘電体とアース電位導体の3層構造からなる電磁波放射アンテナから電磁波を導入することによりプラズマ化する手段とを有し、前記ガス導入手段のガスの導入経路は、前記アンテナの、前記アンテナ部に発生する電界強度の最大値の1/3以下の領域に貫通されて形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01Q 13/08

FI (4)：

H05H 1/46 B , C23F 4/00 A , H01Q 13/08 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326824 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-240876 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
特開昭62-210623

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Cited by examiner (8)

マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326824 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-240876 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
特開昭62-210623

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