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J-GLOBAL ID：200903064485285850

窒化ガリウム系半導体レーザ

Inventor：
仁道 正明

About 仁道 正明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997004202
Publication number (International publication number)：1998200213
Application date： Jan. 14, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザはサファイア、スピネル等の絶縁体基板上に形成されるためp電極、n電極は異なる高さで形成され2つの電極を制御性/再現性良くヒートシンクに融着することが困難であった。【解決手段】 サファイア基板上に、n型コンタクト層、活性層、p型コンタクト層を順次含むダブルヘテロ構造結晶と、n電極とp電極とを含み、p型コンタクト層上のp電極が融着用金属を介してヒートシンクに融着され、p電極が形成されている部分と異なった部分のp型コンタクト層表面に第3の電極が形成され、かつ第3の電極がn型コンタクト層表面のn電極と導通している。さらに、ヒートシンクが高抵抗なヒートシンク基板と、ヒートシンク基板上に形成された第1の融着用金属と第2の融着用金属とを含み、かつ第1の融着用金属と第2の融着用金属とが電気的に絶縁されており、かつ第3の電極が第1の融着用金属を介して、p電極が前記第2の融着用金属を介してヒートシンク基板に融着されている。
Claim (excerpt)：
高抵抗基板上に第一導電型コンタクト層、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層、第二導電型コンタクト層が少なくとも積層され、前記積層は第一導電型コンタクト層の一部までエッチングされた半導体レーザ構造部とメサ構造部に分けられ、前記レーザ構造部の第二導電型コンタクト層上に第二導電型電極が形成され、前記第一導電型コンタクト層上、メサ構造部側面およびメサ構造部の第二導電型コンタクト層上にわたって第一導電型電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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