半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996529169
Publication number (International publication number)：1998505960
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層を挟むクラッド構造と、を備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、該クラッド構造は、1×1018cm-3以上の濃度で不純物がドープされている可飽和吸収層を含んており、該可飽和吸収層は、該活性層から離れた位置に配置されている、自励発振型半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , G11B 7/125

FI (2)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038561 Applicant：三洋電機株式会社
自励発振型半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049366 Applicant：三洋電機株式会社
特開平3-089581

Show all

Return to Previous Page