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J-GLOBAL ID：200903064538896172

スピネル型フェライト薄膜およびその製造方法

Inventor：
川合 知二

About 川合 知二

, 
田畑 仁

About 田畑 仁

, 
村岡 祐治

About 村岡 祐治


Applicant, Patent owner：
大阪大学長

About 大阪大学長


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000035119
Publication number (International publication number)：2001230117
Application date： Feb. 14, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 室温付近またはそれよりも高い温度でスピングラス状態を実現でき、しかも光によりスピン状態を制御できるスピネル型フェライト薄膜を提供する。【解決手段】 真空容器内に基板およびターゲットを設置し、真空容器内の酸素分圧を1×10-5Torr以下に設定して、レーザービームデポジションにより基板上に成膜された、一般式AE1+tFe2-2tTMtO4(ここで、AEはアルカリ土類金属またはアルカリ金属を示し、TMは遷移金属を示し、0.2≦t≦0.6である)またはZn1-xCoxFe2O4(ここで、0.2≦x≦0.7)で表されるスピネル型フェライト薄膜。
Claim (excerpt)：
下記一般式AE1+tFe2-2tTMtO4(ここで、AEはアルカリ土類金属またはアルカリ金属を示し、TMは遷移金属を示し、0.2≦t≦0.6である)、またはZn1-xCoxFe2O4(ここで、0.2≦x≦0.7)で表されることを特徴とするスピネル型フェライト薄膜。
IPC (8)：
H01F 10/20 ,  C01G 49/00 ,  C01G 51/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 521 ,  G11B 11/105 546
FI (8)：
H01F 10/20 ,  C01G 49/00 A ,  C01G 51/00 B ,  C23C 14/06 K ,  C23C 14/28 ,  G11B 11/105 506 D ,  G11B 11/105 521 B ,  G11B 11/105 546 B
F-Term (30)：
4G002AA07 ,  4G002AA10 ,  4G002AB01 ,  4G002AD00 ,  4G002AE03 ,  4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC03 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC06 ,  4K029BD12 ,  4K029CA01 ,  5D075FF07 ,  5D075GG02 ,  5D075GG16 ,  5E049AB04 ,  5E049AB09 ,  5E049BA06 ,  5E049EB05 ,  5E049FC10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開平3-273540
  • 特開平4-142719
  • 特開昭55-149190
Cited by examiner (6)
  • 特開平3-273540
  • 特開平4-142719
  • 特開昭55-149190
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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