セラミック配線基板

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999365019
Publication number (International publication number)：2001185838
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】めっき層が形成された配線導体の表面に電子部品等を半田実装した際に、めっき層の配線導体と密着性に優れ、めっき層の膨れ等のないセラミック配線基板を得る。【解決手段】セラミック絶縁基板1の表面に、CuまたはAlを主導体とする配線導体2が被着形成され、配線導体2の表面にNiなどの半田濡れ性に優れた金属からなるめっき層3を被覆形成してなり、このめっき層3上に半田6によって電子部品7が実装搭載される配線基板において、めっき層3を被覆形成する配線導体2の中心線平均粗さ(Ra)を1〜3μm、めっき層3の厚みを1〜4μmとする。

Claim (excerpt)：

セラミック絶縁基板の表面に、CuまたはAlを主導体とする配線導体が被着形成され、該配線導体の表面に半田濡れ性に優れた金属からなるめっき層を被覆形成してなり、このめっき層上に半田によって電子部品が実装搭載される配線基板において、前記めっき層を被覆形成する前記配線導体の中心線平均粗さ(Ra)が1〜3μmであり、且つめっき層の厚みが1〜4μmであることを特徴とするセラミック配線基板

F-Term (4)：

5E319AA07 , 5E319AC04 , 5E319AC17 , 5E319AC20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プリント配線板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-231502 Applicant：イビデン株式会社
電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319278 Applicant：徳山曹達株式会社
特開昭59-092598

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