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J-GLOBAL ID:200903064580757263
半導体チップの接続構造及びこれに用いる配線基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
若林 邦彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996122888
Publication number (International publication number):1997045731
Application date: May. 17, 1996
Publication date: Feb. 14, 1997
Summary:
【要約】【課題】半導体チップの厚みが薄い場合でも優れた接続信頼性を得ることが可能な、半導体チップの配線基板への接続構造を提供すること。【解決手段】周縁部に多数の電極を有する半導体チップと、これに相対する電極を有する配線基板との接続構造であって、前記半導体チップおよび/または配線基板の電極が絶縁面より突起してなり、少なくとも半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に前記突起電極と略同等高さのダミー電極が設けられ、半導体チップと配線基板とが接着剤で接続されてなる半導体チップの接続構造。
Claim (excerpt):
周縁部に多数の電極を有する半導体チップと、これに相対する電極を有する配線基板の接続構造であって、前記半導体チップおよび/または配線基板の電極が絶縁面より突起してなり、少なくとも接続後の半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に前記突起電極と略同等高さのダミー電極が設けられ、前記ダミー電極は接続面を投影した時、円状および/または多角形状で接続領域内に複数以上が存在し、厚みが0.3mm以下の前記半導体チップと配線基板とが接着剤で接続されてなる半導体チップの接続構造。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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配線基板及び加圧ツール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-190038
Applicant:ソニーケミカル株式会社
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特開平3-244140
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半導体装置の実装方法と半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-283794
Applicant:富士通株式会社
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フェイスダウン実装用半導体チップ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-038290
Applicant:富士通株式会社
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特開平3-029207
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