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J-GLOBAL ID：200903064611806675

結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法

Inventor：
中村 幸治

About 中村 幸治


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998302686
Publication number (International publication number)：2000133599
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 DFBレーザーやDBRレーザ等のグレーティングを有する半導体レーザーにおいて、InP基板上におけるグレーティングの凹部分に、格子接合する結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 有機金属気相結晶成長法(MOVPE法)を利用した装置を使用して、InP基板上の結晶成長を開始させる昇温中もしくは昇温してから微量の、アルシンとフォスフィンとTEGを流してInGaAsPを成長させる事により、グレーティング形状を保存し、かつグレーティングの凹部分に格子接合する結晶成長をさせることができる。
Claim (excerpt)：
微細パターンを有するInP基板上への有機金属気相結晶成長法(MOVPE法)を用いて行なう結晶成長方法において、反応容器内で、この容器内の温度を制御しながら、P原料、As原料、Ga原料を拡散させて、前記InP基板上に前記InP基板と格子整合するInGaAsP結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/12
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18 642
F-Term (32)：
4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA24 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA63 ,  5F045EE12 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開昭62-108592
  • 光半導体装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-325370   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体ヘテロ構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317261   Applicant：日本電気株式会社
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