半導体ヘテロ構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317261
Publication number (International publication number)：1997139347
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】無歪の半導体層あるいは歪を有する半導体層と、安定したV族組成を有するInGaAsP等の2種類以上のV族原子を含む半導体層あるいは安定したVI族組成を有するZnCdSSe層等の2種類以上のVI族原子を含む半導体層から成る、良好な結晶品質のヘテロ構造層を有する半導体発光素子の提供。【解決手段】基板と異なる格子定数を有するIII-V族化合物の第1の歪半導体層26、歪半導体層と同じV族組成を有する無歪の第2の半導体層27、一種類のIII族原子のみを含む第3の半導体層、2種類以上のV族原子を含む第4の半導体層、を順に備えた層構造を有する。

Claim (excerpt)：

基板とほぼ同じ格子定数を有する無歪のIII-V族化合物の第1の半導体層と、一種類のIII族元素(原子)を含む所定分子層厚の第2の半導体層と、複数種のV族元素を含む第3の半導体層と、を順に形成してなる層構造を有することを特徴とする半導体ヘテロ構造。

IPC (5)：

H01L 21/203 , H01L 21/20 , H01L 21/363 , H01S 3/18 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/203 M , H01L 21/20 , H01L 21/363 , H01S 3/18 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

歪量子井戸レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-000605 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070580 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282005 Applicant：富士通株式会社

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