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J-GLOBAL ID：200903036067102614

発光素子

Inventor：
畑 雅幸

About 畑 雅幸

, 
林 伸彦

About 林 伸彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082510
Publication number (International publication number)：2000277868
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。【解決手段】 p型不純物を量子井戸層8b中の[000-1]方向側の界面近くに多くドーピングするかまたは障壁層8a中で量子井戸層8bの[000-1]方向側の界面近くに多くドーピングする。あるいは、n型不純物を量子井戸層8b中の[0001]方向側の界面近くに多くドーピングするかまたは障壁層8a中で量子井戸層8bの[0001]方向側の界面近くに多くドーピングする。
Claim (excerpt)：
圧電効果の発生を伴う歪を有する1つ以上の井戸層と、前記井戸層を挟むように配置された2つ以上の障壁層とから構成される量子井戸構造の発光層を備え、前記量子井戸構造の発光層中にp型不純物およびn型不純物のうち少なくとも一方の不純物が前記量子井戸構造の閉じ込め方向に圧電効果の結果として発生する電位勾配を低減するように不均一に添加されたことを特徴とする発光素子。
IPC (4)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/347
FI (6)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18 662 ,  H01S 3/18 678
F-Term (26)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-267684   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平3-174787
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244498   Applicant：株式会社日立製作所
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