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J-GLOBAL ID：200903064703005733

水素で機能化した半導体的炭素ナノチューブ及びその製造方法

Inventor：
崔 原 鳳

About 崔 原 鳳

, 
李 永 煕

About 李 永 煕


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003126118
Publication number (International publication number)：2004002409
Application date： May. 01, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】水素で機能化した半導体性炭素ナノチューブ及びその製造方法を提供する。【解決手段】水素原子及び炭素原子の化学結合が形成されたことを特徴とする半導体性炭素ナノチューブ、及び炭素ナノチューブを真空雰囲気下で加熱する加熱段階と、水素ガス中の水素分子を水素原子に分解する分解段階と、炭素ナノチューブを水素ガスと接触させて水素原子及び前記炭素ナノチューブの炭素原子を化学結合させる化学結合段階と、を含む半導体性炭素ナノチューブの製造方法。これにより、金属性炭素ナノチューブを半導体性炭素ナノチューブに、かつ、エネルギーバンドギャップの狭い半導体性炭素ナノチューブをエネルギーバンドギャップの広い半導体性炭素ナノチューブに変えられるため、電子素子、電気光学的な素子又はエネルギー貯蔵素子などに幅広く利用できる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
水素で機能化した半導体的炭素ナノチューブであって、 水素原子と炭素原子との化学結合を有することを特徴とする半導体的炭素ナノチューブ。
IPC (4)：
C07C15/20 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C07C5/02
FI (4)：
C07C15/20 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C07C5/02
F-Term (6)：
4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006BA91 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BE20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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