プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003412399
Publication number (International publication number)：2005171308
Application date： Dec. 10, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】中空容器付近のマイクロ波の電磁界分布を制御することができ、中空容器内面への均一なプラズマによる処理が可能であり、しかも、同一の装置で、多様な形状、サイズの中空容器に対応可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】マイクロ波を封じ込める金属製容器41と、金属製容器41内に設けられ、内部に中空容器42を収納する真空チャンバ43と、中空容器42内に原料ガスを導入する原料ガス導入管44と、マイクロ波発振器45と、マイクロ波発振器45からのマイクロ波を金属容器42内に供給する導波管46とを具備し、金属製容器41と中空容器42との間に、マイクロ波の再放射を行う導体50が配置されているプラズマ処理装置40、およびこれを用いたプラズマ処理方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

マイクロ波を封じ込める金属製容器と、該金属製容器内に設けられ、内部に中空容器を収納する真空チャンバと、中空容器内に原料ガスを導入する原料ガス導入管と、マイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器からのマイクロ波を前記金属容器内に供給する導波管とを具備し、前記金属製容器と中空容器との間に、金属製容器内のマイクロ波によって高周波電流を発生し、この高周波電流によってマイクロ波の再放射を行う導体が少なくとも1つ配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (1)：

C23C16/511

FI (1)：

C23C16/511

F-Term (11)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030CA07 , 4K030CA15 , 4K030FA02 , 4K030JA19 , 4K030KA09 , 4K030KA46 , 4K030LA24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

マイクロ波プラズマによる容器処理用装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-615424 Applicant：シデル・アクテイス・セルビス
プラズマ強化処理におけるプラスチック製ボトルの内面処理方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-514303 Applicant：テトララヴァルホールディングズアンドファイナンスエス.アー.
マイクロ波プラズマを利用したダイヤモンド成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-146492 Applicant：ミクロ電子株式会社

Cited by examiner (4)

マイクロ波プラズマによる容器処理用装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-615424 Applicant：シデル・アクテイス・セルビス
インピーダンス整合によるマイクロ波エネルギーの結合装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-553557 Applicant：テトララバルホールデングスアンドファイナンスエスエイ
プラズマ強化処理におけるプラスチック製ボトルの内面処理方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-514303 Applicant：テトララヴァルホールディングズアンドファイナンスエス.アー.

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