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J-GLOBAL ID:200903064772834679

低騒音・低残留磁束密度の無方向性けい素鋼板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996309954
Publication number (International publication number):1998140298
Application date: Nov. 07, 1996
Publication date: May. 26, 1998
Summary:
【要約】【課題】機器の大型化やコスト増大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止することができ、かつ磁歪による騒音の問題が生じない、低騒音・低残留磁束密度の無方向性けい素鋼板を提供すること。【解決手段】表層のSi濃度が5.5〜7.0wt%で、板厚中心近傍の最低のSi濃度が表層のSi濃度よりも0.5wt%以上低くした低騒音・低残留磁束密度の無方向性けい素鋼板。
Claim (excerpt):
表層のSi濃度が5.5〜7.0wt%で、板厚中心近傍の最低のSi濃度が表層のSi濃度よりも0.5wt%以上低いことを特徴とする低騒音・低残留磁束密度の無方向性けい素鋼板。
IPC (5):
C22C 38/00 303 ,  C22C 38/02 ,  C22C 38/04 ,  C23C 10/46 ,  H01F 27/24
FI (5):
C22C 38/00 303 U ,  C22C 38/02 ,  C22C 38/04 ,  C23C 10/46 ,  H01F 27/24 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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