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J-GLOBAL ID：200903064850346600

高耐電圧半導体装置

Inventor：
浅野 勝則

About 浅野 勝則

, 
菅原 良孝

About 菅原 良孝


Applicant, Patent owner：
関西電力株式会社

About 関西電力株式会社


Agent (1)： 東島 隆治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394708
Publication number (International publication number)：2003197921
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高耐電圧で低オン電圧の高信頼性半導体装置を実現する。【解決手段】 SiC半導体装置の主電極とターミネーション領域との間の間隔を大きくあけて形成し、主電極とターミネーション領域間の気中放電開始電圧を高くする。さらに半導体装置のパッケージにSF6(六フッ化硫黄)ガス又はSF6ガスを主成分とした絶縁性ガスを封入する。絶縁性ガスの圧力を大気圧以上にすると、さらに気中放電開始電圧が高くなる。
Claim (excerpt)：
一方の面に第1の電極を有する、高不純物濃度のワイドギャップ半導体の基板、前記基板の他方の面に形成した、低不純物濃度のワイドギャップ半導体のドリフト層、前記ドリフト層の上に形成されたワイドギャップ半導体の活性領域生成層、前記ドリフト層の端部領域に形成した、前記ドリフト層と同じ導電型の少なくとも1つの高不純物濃度の領域を有するターミネーション領域、前記活性領域生成層の上に形成した第2の電極、前記第2の電極に電気的に接続され、前記ターミネーション領域から所定の離隔距離を保って設けられた第3の電極、及び前記ターミネーション領域及び前記第2の電極を覆うように形成した表面保護膜を有する高耐電圧半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655
FI (7)：
H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 B
F-Term (3)：
5F005AE01 ,  5F005AF01 ,  5F005BA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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