Pat

J-GLOBAL ID：200903064861781244

エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 山岸 信久
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181580
Publication number (International publication number)：1997036087
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 被エッチング層の下地のエッチングストッパー層である、Si3 N4等のSiN(シリコンナイトライド)膜等の肩の膜減りが生じず、よってこれに基づく不良の発生を防止したエッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極3を有する半導体基板1等の、段差を有する下地上にエッチングストッパー層5を設け、該ストッパー層5上に被エッチング層6を形成した構造のエッチング方法において、ストッパー層3の肩部に、例えば高融点金属やC等の斜めイオン注入等の難エッチング化処理を施して、エッチングを行う。

Claim (excerpt)：

段差を有する下地上にエッチングストッパー層を設け、該エッチングストッパー層上に被エッチング層を形成した構造をエッチングするエッチング方法において、上記エッチングストッパー層の肩部に難エッチング化処理を施して、上記被エッチング層のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-137466   Applicant：三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-278921   Applicant：株式会社東芝