複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋山敦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098246
Publication number (International publication number)：1999279757
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、光学薄膜を形成するとき、屈折率を任意に制御可能で超薄膜に対して酸化・窒化・弗化等の反応を行いながら成膜することが可能であり、光学特性や力学特性等が安定した金属化合物薄膜を、基板温度を高くすることなく、かつ高速に形成することのできる複合金属の化合物薄膜形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】複合金属化合物の薄膜形成方法は、それぞれに独立した少なくとも二種以上の異種金属からなる各ターゲット29,49をスパッタリングして、基板上へ、複合金属ないし複合金属の不完全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、この形成された超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を照射し、上記超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応させて複合金属の化合物に変換する工程と、これら超薄膜を形成する工程と複合金属の化合物に変換する工程を順次繰返し、所望の膜厚の複合金属の化合物薄膜を基板に形成する。

Claim (excerpt)：

それぞれに独立した少なくとも二種以上の異種金属からなる各ターゲットをスパッタリングして、基板上へ、複合金属ないし複合金属の不完全反応物からなる超薄膜を形成する工程と、該形成された超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を照射し、上記超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応させて複合金属の化合物に変換する工程と、これら超薄膜を形成する工程と複合金属の化合物に変換する工程を順次繰返し、所望の膜厚の複合金属の化合物薄膜を基板に形成することを特徴とする複合金属化合物の薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (2)：

C23C 14/34 S , H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-096108 Applicant：株式会社シンクロン
特開平3-223458
スパツタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336097 Applicant：旭硝子株式会社

Show all

Return to Previous Page