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J-GLOBAL ID：200903064876349683
誘電体薄膜素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996242297
Publication number (International publication number)：1998093036
Application date： Sep. 12, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 誘電体薄膜と下部電極との界面整合性を高めた上で、下部電極の下側に存在するSiプラグやWプラグ等の導電層表面の表面性状や電気的特性等に悪影響を及ぼすような酸化を防止する。【解決手段】 導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極4と、この下部電極4上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜5とを具備する誘電体薄膜素子3において、下部電極4の下地層7として、その酸化物が導電性を有する金属、および導電性を有する前記金属の窒化物、珪化物、酸化物から選ばれる少なくとも 1種からなる層、例えばRu、Re、Os、Rh、Irまたはこれらの酸化物、珪化物、窒化物等からなる層や、酸化しないPtやAuからなる層、あるいは導電性ペロブスカイト型酸化物の非晶質層を設ける。
Claim (excerpt)：
導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極と、前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜とを具備する誘電体薄膜素子において、前記下部電極の下地層として、その酸化物が導電性を有する金属、および導電性を有する前記金属の窒化物、珪化物、酸化物から選ばれる少なくとも 1種からなる層が設けられていることを特徴とする誘電体薄膜素子。
IPC (12)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C01G 51/00
, H01B 3/12 301
, H01B 3/12 304
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C01G 51/00 A
, H01B 3/12 301
, H01B 3/12 304
, H01L 27/10 451
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 371
