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J-GLOBAL ID：200903064949292278

窒化物系化合物半導体の製造方法

Inventor：
今藤 修

About 今藤 修

, 
橋本 忠朗

About 橋本 忠朗

, 
粂 雅博

About 粂 雅博


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995292319
Publication number (International publication number)：1997134881
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 MOCVD法により結晶性の良好なGaN,InGaN等の窒化物系化合物半導体の結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】 反応炉1内のサセプタ3の上にサファイア基板2を設置し、ヒータ4によってサファイア基板2を加熱する。原料ガス導入部5から、トリメチルガリウムガス6とメチルアジドガス6とを供給し、サファイア基板2上にGaNの結晶を成長させる。メチルアジドガス等の分子式がRN3 で表される化合物又は分子式がC6 Qn H5-n NH2 (Qは有機基,nは0以上5以下の整数)で表される芳香族アミンを含む原料を窒素源として用いることで、分解温度が低下し、基板温度を低くできる。そして、基板温度を低くできるので、窒素取り込み効率が向上し、N原子空孔も少なくなり、結晶性が向上する。
Claim (excerpt)：
反応容器内に設置された基板を加熱する工程と、上記反応容器内に、少なくとも1種類のIIIb族元素を含む第1の原料と少なくとも分子式R-N3 (Rは有機基)で表されるアゾ化合物を含む第2の原料とを供給し、上記基板上で上記第1及び第2の原料を分解させて、上記基板上に窒化物系化合物半導体の結晶を成長させる工程とを備えていることを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (6)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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