半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181887
Publication number (International publication number)：1997036427
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】非晶質を基板とする簡易な構成の発光強度が高いLED等の半導体装置を得る。【構成】窒素原子を含む気体からなるプラズマにより表面を処理した非晶質基板材料上に、III -V族窒化物半導体からなるヘテロ接合を含む積層構造を直接載置する。非晶質基板の裏面側に金属被膜を設ける。また、溝を形成した基板裏面に反射用途等の金属被膜を設ける。【効果】単結晶材料に比較すれば廉価な非晶質材料基板上に、結晶化されたIII -V族窒化物半導体を成長できる。また、基板材料への金属被膜の形成はLEDにあっては簡易な構成をもって発光強度の向上をもたらす。

Claim (excerpt)：

Al、Ga若しくはInのうち少なくとも1種の第 III族元素と、少なくとも窒素を含む第V族元素とからなる III-V族窒化物半導体ヘテロ接合を、非晶質材料基板の表面上に直接堆積した積層構造から構成されてなる発光素子用の半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 A , H01L 21/203 M , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平2-286358
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
特開昭63-239988

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