半導体装置のアラインメントキーパターンの形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996159577
Publication number (International publication number)：1997017708
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体装置のアラインメントキーパターンの形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板上のセルアレー及びアラインメントキーパターン形成領域のフィールド領域を限定する第1絶縁膜パターンを形成する段階と、前記第1絶縁膜パターンをマスクとして前記フィールド領域にトレンチを形成する段階と、前記半導体基板の全面に前記トレンチを埋込みながら第2絶縁膜を形成する段階と、前記セルアレー領域の活性領域と前記アラインメントキーパターン形成領域の全面に形成された前記第2絶縁膜を所定の深さで蝕刻する段階と、前記半導体基板の全面をエッチバックする段階と、前記半導体基板の全面に導電層を形成する段階と、前記導電層の全面にフォトレジストを塗布する段階とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上のセルアレー及びアラインメントキーパターンの形成領域のフィールド領域を限定する第1絶縁膜パターンを形成する段階と、前記第1絶縁膜パターンをマスクとして前記フィールド領域にトレンチを形成する段階と、前記半導体基板の全面に前記トレンチを埋込みながら第2絶縁膜を形成する段階と、前記セルアレー領域の活性領域と前記アラインメントキーパターン形成領域の全面に形成された前記第2絶縁膜を所定の深さで蝕刻する段階と、前記半導体基板の全面をエッチバックする段階と、前記半導体基板の全面に導電層を形成する段階と、前記導電層の全面にフォトレジストを塗布する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のアラインメントキーパターンの形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

シャロートレンチ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-155765 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-164018
特開昭62-128138

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Cited by examiner (1)

シャロートレンチ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-155765 Applicant：ソニー株式会社

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