研磨用組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280592
Publication number (International publication number)：1999116942
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Hazeレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができる、シリコン半導体ウェーハ用の研磨用組成物の提供。【解決手段】下記の(a)〜(e)、または(a)〜(c)および(d’)、を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素(b)水(c)水溶性高分子化合物(d)塩基性化合物(e)アルコール性水酸基を1〜10個有する化合物(d’)アルコール性水酸基を1〜10個有する含窒素塩基性化合物

Claim (excerpt)：

下記の(a)〜(e)を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素、(b)水、(c)水溶性高分子化合物、(d)塩基性化合物、および(e)アルコール性水酸基を1〜10個有する化合物。

IPC (3)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/304 321

FI (4)：

C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 J , C09K 3/14 550 M , H01L 21/304 321 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-158684
特公昭53-009910
スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-115398 Applicant：ソニー株式会社

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