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J-GLOBAL ID：200903065115168738

エピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： 羽深 等 ,  大塚 徹 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997209712
Publication number (International publication number)：1999040506
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 p型低濃度硅素単結晶基板の上に硅素単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させる際のゲッタリング効率を維持する。【解決手段】 ウェーハW表面に成長している自然酸化膜の除去にHF/H2 混合ガスを用い、付着有機物の除去にHCl/H2 混合ガスを用いることで、前者については100°C未満、後者については800°C未満での処理を可能とし、かつ酸化膜の再成長を抑制する。高度に清浄化された硅素単結晶基板の表面では、エピタキシャル成長温度も1000°C未満に下げることができる。かかる工程全体の低温化により、基板中の酸素析出核および/または酸素析出物の固溶・拡散が抑えられ、ゲッタリング効率が維持される他、遷移幅が縮小されて急峻な不純物濃度プロファイルが実現され、また熱応力によるスリップ転位欠陥も抑制される。

Claim (excerpt)：

酸素析出核および/または酸素析出物を有する珪素単結晶基板の主表面に珪素単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記主表面上の自然酸化膜に収着されている水分を保持し得る第1の温度域にて、フッ化水素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で該自然酸化膜を除去する第1の工程と、前記第1の温度域よりも高くかつ前記珪素単結晶基板の表面状態を維持し得る第2の温度域にて、塩化水素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で、前記主表面上の付着有機物を除去する第2の工程と、前記第2の温度域よりも高くかつ前記酸素析出を維持し得る第3の温度域にて、珪素化合物ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で、前記主表面に珪素単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させる第3の工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/06 504

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/06 504 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-151031
  
• 特開平4-096226
  
• エピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-335443   Applicant：株式会社東芝