バリヤ層を使用する半導体デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001581338
Publication number (International publication number)：2003533024
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：

【要約】デバイスのゲート電極(104)とゲート電極(104)の下方にある半導体基板(106)との間に設けられたバリヤ層(102)を有するエンハンスメント型半導体デバイスに関する。バリヤ層(102)は、ゲート電極(104)の下に位置する基板(106)の一部がエンハンスメント型で動作するように、ゲート電極-バリヤ層-基板インタフェースのショットキー障壁の高さを高くする。バリヤ層(102)は、化合物半導体電界効果トランジスタで有用であり、バリヤ層用に好適な材料は、アルミニウムガリウムヒ素及びインジウムガリウムヒ素を含む。

Claim (excerpt)：

チャネル(114)を有する半導体基板(106)を提供する工程と、前記半導体基板の上方にある誘電体層(122)を形成する工程と、前記誘電体層内に開口部を形成する工程と、一部が前記半導体基板と接触しているバリヤ層(102)を前記誘電体層内の開口部内に形成する工程と、前記バリヤ層の上方にゲート層(104)を形成する工程とからなる半導体デバイスの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/338 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/47 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (4)：

H01L 29/80 F , H01L 29/58 Z , H01L 29/48 M , H01L 29/44 S

F-Term (34)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104FF18 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GM07 , 5F102GN05 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21 , 5F102HC30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-046718 Applicant：株式会社日立製作所
III-V族半導体ゲート構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-152747 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平1-099263

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