薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木正次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001332585
Publication number (International publication number)：2003138378
Application date： Oct. 30, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜形成枚数が増えた場合であっても、排気時間が長くなることがなく、生産性の向上を図ることができる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】固体又は液体原料として当該原料及び反応副生成物またはこの中の少なくとも一つの物質の飽和蒸気圧が70°Cで、0.001Pa以上かつ500Pa以下のものを用い、薄膜形成工程の終了後、基体処理室の圧力を下げて薄膜形成工程で表面に薄膜が形成された基体を基体処理室から回収するまでの間に、基体処理室の圧力をあらかじめ定められている圧力にまで下げる排気工程と、引き続いて、パージガスを基体処理室に導入して基体処理室の圧力をあらかじめ定められている圧力にまで上げるパージ工程を、前記排気工程で下げられた圧力と、前記パージ工程で上げられた圧力との間に、少なくとも一桁以上の圧力差を持たせて、少なくとも一回行う。

Claim (excerpt)：

固体又は液体原料を気化させた原料ガスを、減圧状態に保持されている基体処理室内に導入して、この基体処理室内で化学反応させ、基体処理室内に支持されている基体の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、固体又は液体原料として当該原料及び反応副生成物またはこの中の少なくとも一つの物質の飽和蒸気圧が70°Cで、0.001Pa以上かつ500Pa以下のものを用い、薄膜形成工程の終了後、基体処理室の圧力を下げて薄膜形成工程で表面に薄膜が形成された基体を基体処理室から回収するまでの間に、基体処理室の圧力をあらかじめ定められている圧力にまで下げる排気工程と、引き続いて、パージガスを基体処理室に導入して基体処理室の圧力をあらかじめ定められている圧力にまで上げるパージ工程を、前記排気工程で下げられた圧力と、前記パージ工程で上げられた圧力との間に、少なくとも一桁以上の圧力差を持たせて、少なくとも一回行うことを特徴とする薄膜形成方法。

F-Term (8)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030JA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液体原料を用いた表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-119130 Applicant：アネルバ株式会社
薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-054424 Applicant：株式会社デンソー
シリコンナイトライド膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-282014 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

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