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J-GLOBAL ID：200903017504431407

シリコンナイトライド膜の成膜方法

Inventor： 綱島 祥隆 ,  齋田 繁彦 ,  今井 正幸 ,  池川 寛晃 ,  米川 司 ,  山本 博之
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282014
Publication number (International publication number)：2000100812
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。

Claim (excerpt)：

被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜するようにしたことを特徴とするシリコンナイトライド膜の成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 B

F-Term (41)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EK06 ,  5F045HA06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064721   Applicant：株式会社東芝
• 窒化シリコン膜の形成方法およびその窒化シリコン膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221141   Applicant：日本真空技術株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-189395   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-167092   Applicant：株式会社東芝