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J-GLOBAL ID：200903097969643862

半導体製造装置のクリーニング方法

Inventor：
小野 洋子

About 小野 洋子

, 
古川 長樹

About 古川 長樹


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000053852
Publication number (International publication number)：2001244203
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】本発明は、プロセスが定常状態に至るまでの時間を短縮し、クリーニング後の残留ClF3ガスを抑制することを課題とする。【解決手段】反応容器11と、この反応容器内に配置され、ウエハを支持するホルダー13と、前記ホルダーの外側で反応容器内に配置された筒状の遮蔽リング15と、前記反応容器内に反応性ガス及び不活性ガスをそれぞれ導入するガス導入管16a,16bと、前記反応容器内のガスを排気する排気管17とを具備する半導体製造装置のクリーニング方法において、反応容器内のクリーニング前に不活性ガスを反応容器内に十分な量を流した後、クリーニング時に反応性ガスを被処理物の設置予定部及びその近傍に流すと同時に、不活性ガスをひきつづき流すことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
Claim (excerpt)：
反応容器と、この反応容器内に配置され、被処理物を支持する支持部材と、前記支持部材の外側で反応容器内に配置された筒状の遮蔽リングと、前記反応容器内に反応性ガス及び不活性ガスをそれぞれ導入するガス導入手段と、前記反応容器内のガスを排気する排気手段とを具備する半導体製造装置のクリーニング方法において、反応容器内のクリーニング前に不活性ガスを反応容器内に十分な量を流した後、クリーニング時に反応性ガスを被処理物の設置予定部及びその近傍に流すと同時に、不活性ガスをひきつづき流すことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/302 N
F-Term (37)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030GA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA23 ,  5F004AA15 ,  5F004BB16 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F045AA06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EE14 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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