多層配線基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304906
Publication number (International publication number)：1998150272
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線導体を高密度に形成することができず、また部品の実装数が多く大型化する。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層2a、2b、2cと薄膜配線導体3a、3b、3cとを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体3a、3b、3cを有機樹脂絶縁層2a、2b、2cに設けたスルーホール導体8を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層2a、2b、2cの少なくとも一層に金属フィラーと比誘電率が20以上の誘電物フィラーとを含有させるとともに該誘電物フィラー及び金属フィラーが含有されている有機樹脂絶縁層2a、2b、2cをその上下両面に配設されている薄膜配線導体3a、3b、3cの一部で対向挟持させることによって容量素子Aを形成するとともに該容量素子Aを薄膜配線導体間に電気的接続させた。

Claim (excerpt)：

基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層に金属フィラーと比誘電率が20以上の誘電物フィラーとを含有させるとともに該誘電物フィラー及び金属フィラーが含有されている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設されている薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによって容量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線導体間に電気的接続させたことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3)：

H05K 3/46 , H01L 23/12 , H01L 23/14

FI (8)：

H05K 3/46 Q , H05K 3/46 E , H05K 3/46 N , H05K 3/46 T , H01L 23/12 N , H01L 23/12 B , H01L 23/14 M , H01L 23/14 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

コンデンサ内蔵薄膜多層配線板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-171940 Applicant：富士通株式会社
低温焼成セラミック誘電体及び低温焼成セラミック多層回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-064201 Applicant：株式会社住友金属エレクトロデバイス
多層基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129548 Applicant：京セラ株式会社

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