半導体ウェーハ・ボンディングによって製造された透明基板垂直共振型面発光レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315844
Publication number (International publication number)：1997172229
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】VCSELは、DBRによって加えられる比較的大きい直列抵抗、並びに、デバイス内における高い電流密度及び小さい活性容積のため、かなりの量の内部熱を発生する。デバイスから光が放射できるように活性層は、ヒート・シンクから離れて取り付けられるために、VCSELからの熱の伝達効率が悪化し、活性層は高温で動作することになる。この結果、VCSEL全体としての効率が悪くなり、ユーザは、制限を受けて、大駆動電流でVCSELを駆動することができない。【解決手段】ウェーハ・ボンディングを利用して、透明基板を使い活性層がヒート・シンクに近く出来るので、熱性能が良くなり効率が良くなる。又、パターンにより形成された電流及び/または光閉じ込め領域を、ウェーハ・ボンド界面及び活性層に近接して配置出来る。その結果、しきい値電流、しきい値電圧、単一モード安定性、効率、及び、出力電力等において、従来のVCSELに比べて向上した性能を示す。

Claim (excerpt)：

上部表面と下部表面を備えた活性層と、前記活性層の前記上部表面及び前記下部表面上において、それと隣接して配置された上部分布ブラッグ反射器及び下部分布ブラッグ反射器と、前記上部分布ブラッグ反射器に対してボンディングされた透明基板ウェーハと、活性領域に電圧を印加するための接点とを備えることを特徴とする垂直共振型面発光レーザ・ダイオード。

IPC (5)：

H01S 3/18 , H01L 23/15 , H01L 23/40 , H01L 27/00 301 , H01L 33/00

FI (5)：

H01S 3/18 , H01L 23/40 F , H01L 27/00 301 B , H01L 33/00 Z , H01L 23/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

面発光型光半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-125350 Applicant：沖電気工業株式会社
光集積回路およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-337172 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-105991

Show all

Return to Previous Page