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J-GLOBAL ID：200903065575210058

磁気メモリ及びその記録方法

Inventor： 鹿野 博司 ,  大森 広之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004121915
Publication number (International publication number)：2005310829
Application date： Apr. 16, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】 単位面積当たりに多くの情報を記憶することを可能にする磁気メモリを提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有する磁気記憶素子3,5を備え、互いに交差する2種類の配線1,6の交点付近かつ2種類の配線1,6の間に、それぞれ複数個の磁気記憶素子3,5が電気的に直列又は並列に接続され、これら複数個の磁気記憶素子3,5のそれぞれの情報の記録が可能になる記録電流の閾値が異なり、各磁気記憶素子3,5の記憶層がそれぞれ異なる情報記憶単位を構成する磁気メモリを構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有する磁気記憶素子を備えた磁気メモリであって、 互いに交差する2種類の配線の交点付近かつ前記2種類の配線の間に、それぞれ複数個の前記磁気記憶素子が電気的に直列又は並列に接続され、これら複数個の前記磁気記憶素子は、それぞれ情報の記録が可能になる記録電流の閾値が異なり、 各前記磁気記憶素子の前記記憶層が、それぞれ異なる情報記憶単位を構成する ことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (2)：

H01L27/105 ,  G11C11/15

FI (2)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203934   Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

Cited by examiner (4)

• マルチビット磁気メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-231235   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-235071   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-182152   Applicant：松下電器産業株式会社
• 強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-026690   Applicant：ローム株式会社