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J-GLOBAL ID：200903065580991092

プラズマCVD絶縁膜およびその形成方法

Inventor： 宇佐美 達矢
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216286
Publication number (International publication number)：1998064899
Application date： Aug. 16, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVD絶縁膜およびその形成方法において、低比誘電率であるとともに信頼性向上のための耐湿性を得るためにシリコンを主材としフッ素および炭素が適宜に含む絶縁膜を得る。【解決手段】プラズマCVD絶縁膜であるフッ素含有プラズマ酸化膜を形成するために、例えば、プラズマCVD装置に供給するガス構成をSiH4 ,O2 ,CF4 ,Arガスに加えCO2 ガスを添加することにより、炭素,フッ素を独立に制御し適正なフッ素濃度,炭素濃度を得ている。

Claim (excerpt)：

シリコンを主材としフッ素濃度が4×1021〜1.0×1022atoms/ccの範囲であるとともに炭素濃度が3.0×1019〜1.0×1021atoms/ccの範囲で含むことを特徴とするプラズマCVD絶縁膜。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065621   Applicant：ソニー株式会社
• シリコン酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238536   Applicant：株式会社ジーティシー
• 特表平6-507942