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J-GLOBAL ID:200903033840648509

絶縁膜の成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996065621
Publication number (International publication number):1997148323
Application date: Mar. 22, 1996
Publication date: Jun. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 フッ化酸化シリコンからなる絶縁膜の成膜において、ウエハの表面形状に依存する局所的な埋め込み特性の劣化を防止できる方法を提供する。【解決手段】 表面に幅の広い凸状段差Aを有するウエハ10上に、プラズマCVD法によって絶縁膜を形成する際、SiF4 (四フッ化シリコン)のようなフッ素やシリコンとを含有するガスと、O2 (酸素)のような酸化性ガスと共に、CH4 (メタン)のような水素を含有するガスを反応ガスに用いる。これによって、プラズマ分解で過剰に生成されるフッ素ラジカルを水素ラジカルによって捕捉し、過剰のフッ素ラジカルが幅広い凸状段差Aの側方に集中して凹状段差B部の埋め込み特性が局所的に劣化することを防止しながら絶縁膜14の成膜を行う。
Claim (excerpt):
反応ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によって絶縁膜を成膜する方法であって、少なくとも、フッ素とシリコンとを含有するガスと、酸化性ガスと、水素を含有するガスとを前記反応ガスに用いることを特徴とする絶縁膜の成膜方法。
IPC (3):
H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31
FI (3):
H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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