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J-GLOBAL ID：200903065615836257
窒化物半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000233010
Publication number (International publication number)：2001135892
Application date： Aug. 01, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体厚膜基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光装置は、窒化物半導体厚膜基板102と、その基板上に積層された複数の窒化物半導体層103〜110を含む発光素子構造とを含み、窒化物半導体基板102は不純物濃度の高い第1層領域102aとその第1層領域より不純物濃度の低い第2層領域102bとの少なくとも2層領域を含み、発光素子構造103〜110は基板102の第1層領域102a上に設けられていることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体厚膜基板と、前記基板上に積層された複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造とを含み、前記窒化物半導体基板は、高不純物濃度の第1の層領域とその第1層領域より低い不純物濃度の第2の層領域との少なくとも2層領域を含み、前記発光素子構造は、前記基板の前記第1層領域上に形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光装置。
IPC (3)：
H01S 5/323
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 5/323
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
