窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998144502
Publication number (International publication number)：1999340571
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【目的】 GaN基板の裏面側に設けられたn電極と支持体との接着性、及びn電極のオーミック性を維持できる信頼性に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体基板の表面に素子構造が形成され、裏面にn電極が形成されており、n電極は、裏面側からn層と良好なオーミック接触が得られる金属を含む第1の層と、Alよりも高融点金属を含む第2の層と、Sn若しくはInを含む第3の層とを有する少なくとも3層構造を具備することにより、n電極はSn、Inが第1の層に欠く散ぜず、良好なオーミック性を保ったままで、強固な付着力を有する電極となる。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体からなる窒化物半導体基板の第1の主面側に、n型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を有する素子構造が形成され、その窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成され、そのn電極と支持体とが対向して、素子が支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体素子であって、前記n電極は、第2の主面に接近した側から、n型窒化物半導体と良好なオーミック接触が得られる金属を含む第1の層と、Alよりも高融点金属を含む第2の層と、Sn若しくはInを含む第3の層とを有する少なくとも3層構造を具備することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

p型GaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162473 Applicant：三菱電線工業株式会社
n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008727 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-087067

Show all

Cited by examiner (7)

p型GaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162473 Applicant：三菱電線工業株式会社
n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008727 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-087067

Show all

Return to Previous Page