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J-GLOBAL ID：200903050807578866

3族窒化物半導体基板及び素子の製造方法

Inventor： 山崎 史郎 ,  永井 誠二 ,  小澤 隆弘
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150270
Publication number (International publication number)：1997312417
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶性の良い3族窒化物半導体基板を得ること及び3族窒化物半導体素子の特性を改良すること。【解決手段】サファイア基板1の表面に0.05μmのAlN バッファ層20、膜厚約100 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN 層200、サファイア基板1の裏面に0.05μmのAlN バッファ層30、膜厚約100 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN 層300を形成する。その後、GaN 層300、バッファ層30、サファイア基板1、バッファ層20を機械研磨により除去して、GaN 基板200を得る。このGaN基板200に、3族窒化物半導体を積層して、発光ダイオードを得る。GaN の単結晶基板が得られるために、高い特性の素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体または絶縁体からなる基板の両面に、それぞれ少なくとも1層の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN; 0≦X ≦1, 0≦Y ≦1, 0≦X+Y ≦1)を有する半導体層を形成する第1の工程と、基板および基板の一方の側に形成した半導体層を機械的に除去して、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN; 0≦X ≦1, 0≦Y ≦1, 0≦X+Y ≦1)からなる半導体基板を得る第2の工程とを有することを特徴とする3族窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 27/12 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• III族窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354572   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 特開平4-273173
  
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-063238   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062815   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開昭54-152876
  
• 特開昭63-226976