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J-GLOBAL ID：200903065684170180

酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 上村 一志 ,  川原 正和
Applicant, Patent owner： DOWAホールディングス株式会社
Agent (2)： 澤木 誠一 ,  澤木 紀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006099932
Publication number (International publication number)：2007269598
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】従来の方法によって製造された酸化物超電導体はクラックが発生し磁場特性が悪い欠点があった。【解決手段】本発明においては、RE-Ba-Cu-O系(REは希土類元素を示す)の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列とされている面積が略300平方mm2以下の多数の板状前駆体溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-O系(REは希土類元素を示す)の酸化物超電導体の前駆体とセラミックス基板の間に、互いに離間して配列されている面積が略300平方mm2以下の多数の板状溶融バルクを中間層として介挿し、上記前駆体を半溶融凝固せしめることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (4)：

C01G 1/00 ,  H01B 13/00 ,  C01G 3/00 ,  H01B 12/06

FI (4)：

C01G1/00 S ,  H01B13/00 565D ,  C01G3/00 ,  H01B12/06

F-Term (10)：

4G047JA03 ,  4G047JB06 ,  4G047JC03 ,  4G047KB04 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA24 ,  5G321DB28 ,  5G321DB47 ,  5G321DB48

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-015208   Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 財団法人鉄道総合技術研究所
• 酸化物超電導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-066558   Applicant：同和鉱業株式会社, 中部電力株式会社