Pat
J-GLOBAL ID：200903086833785106

酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材

Inventor：
松井 元英

About 松井 元英

, 
村上 雅人

About 村上 雅人


Applicant, Patent owner：
財団法人国際超電導産業技術研究センター

About 財団法人国際超電導産業技術研究センター

, 
財団法人鉄道総合技術研究所

About 財団法人鉄道総合技術研究所


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003015208
Publication number (International publication number)：2004262673
Application date： Jan. 23, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】本発明は、半溶融凝固法により酸化物超電導体を製造する際に支持部材との熱膨張係数差に起因するクラックを入らないようにして欠陥のない大型のバルク状の酸化物超電導体を製造することができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、酸化物超電導体の前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造する方法において、半溶融中の前駆体に対して溶解可能な化合物または純金属からなる基材の上に前記前駆体を設置し、この状態から前記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
酸化物超電導体の前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造する方法において、半溶融中の前駆体に対して溶解可能な化合物または純金属からなる基材の上に前記前駆体を設置し、この状態から前記前駆体を半溶融凝固せしめて酸化物超電導体を製造することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (5)：
C01G3/00 ,  C01G1/00 ,  C04B35/653 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00
FI (5)：
C01G3/00 ,  C01G1/00 S ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  C04B35/60 B
F-Term (8)：
4G047JA05 ,  4G047JC02 ,  4G047KB04 ,  4G047LB03 ,  5G321AA04 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM