半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008001670
Publication number (International publication number)：2009164432
Application date： Jan. 08, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

【課題】微細化を進めながら、特性を向上させる。【解決手段】触媒膜パターン12の(111)面にグラフェンシート13を成長することができるために、触媒膜パターン12を所望の場所、形状、結晶方位で形成することにより、所望の場所、形状、電気伝導性のグラフェンシート13を得ることができる。したがって、触媒膜パターン12を半導体装置10のチャネル部に形成すると、チャネル部にグラフェンシート13を形成することができ、半導体装置10の微細化を進めながら高速化でき、特性が向上した半導体装置10を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、触媒膜パターンを形成し、前記触媒膜パターンからグラフェンシートを成長させる工程と、前記グラフェンシートの両端にソース・ドレイン電極部を形成する工程と、前記グラフェンシート上にゲート電極部を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/78 618A

F-Term (24)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF04 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 5F110AA01 , 5F110CC05 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-225237 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (2)

グラフェン集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-163856 Applicant：国立大学法人北海道大学
グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025801 Applicant：株式会社東芝

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