カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002225237
Publication number (International publication number)：2004071654
Application date： Aug. 01, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】ソース電極-ドレイン電極間に形成されるチャネル領域にCNTを用いたカーボンナノチューブ半導体素子の作製において、CNTの配向方向を制御する方法を提供する。【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および、前記ソース電極と前記ドレインとの間に接して形成されたCNT層を有するカーボンナノチューブ半導体素子の作製において、ソース電極-ドレイン電極間に交流電圧を印加しながら、CNTを溶媒に分散させたCNT溶液を両電極間の領域に滴下し、溶媒を除去することによりCNT層におけるCNTの配向方向を制御する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の電極を覆って形成された絶縁膜上の第2の電極および第3の電極の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第2の電極上、前記第3の電極上、および前記第2の電極と前記第3の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜を介して前記第1の電極と重なる位置に導電体特性および半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、前記カーボンナノチューブを一定の配向方向に制御し、前記第2の電極および前記第3の電極の電極間に直流電圧を印加することにより導電体特性を有するカーボンナノチューブのみを除去し、前記第2の電極及び前記第3の電極間を半導体特性を有するカーボンナノチューブで接続することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。

IPC (3)：

H01L29/786 , C01B31/02 , H01L29/06

FI (3)：

H01L29/78 618B , C01B31/02 101F , H01L29/06 601N

F-Term (31)：

4G146AA11 , 4G146AD05 , 4G146AD30 , 4G146BA04 , 4G146BA49 , 4G146BC18 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG23 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG41 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ナノチューブの配線方法及びナノチューブ配線用制御回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-137263 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
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