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J-GLOBAL ID：200903065731824983

絶縁膜加工法

Inventor：
田原 傑

About 田原 傑


Applicant, Patent owner：
ヤマハ株式会社

About ヤマハ株式会社


Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994213161
Publication number (International publication number)：1996055857
Application date： Aug. 15, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 絶縁膜加工法において、微細パターンの孔や凹部を寸法精度よく形成可能にする。【構成】 層間絶縁膜24の上にTiN(又はTiON)膜26を形成した後、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理によりTiN膜26に所望の接続孔24a〜24cに対応する孔を形成する。レジスト層を除去した後、TiN膜26をマスクとするドライエッチング処理により絶縁膜24に接続孔24a〜24cを形成する。レジスト層とTiN膜26との積層をマスクとして用いてもよい。基板上面に配線材を被着してパターニングすることにより接続孔24a〜24cに通ずる1又は複数の配線層を形成する。TiN膜26は、残しておいて配線の一部として用いてもよい。
Claim (excerpt)：
基板の表面を覆う絶縁膜の上に反射防止用の導電材層を形成する工程と、前記導電材層の上にフォトリソグラフィ処理により所望パターンの孔を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をマクスとするドライエッチング処理により前記導電材層に前記レジスト層の孔に対応する孔を形成する工程と、前記レジスト層を除去した後、前記導電材層をマスクとするドライエッチング処理により前記絶縁膜に前記導電材層の孔に対応する孔又は凹部を形成する工程とを含む絶縁膜加工法。
IPC (2)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-167119   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-074959   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭63-312643

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