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J-GLOBAL ID：200903065735285823

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
笹田 一弘

About 笹田 一弘


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264697
Publication number (International publication number)：1999103055
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：
【要約】【課題】 素子特性を劣化させることなく駆動能力を向上させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 シリコン基板1上にゲート酸化膜5およびゲート電極6を形成し、Bのイオン注入によりソース領域2およびドレイン領域3を形成する。ゲート電極6の両側面にSiO2 膜からなる第1スペーサ7aを形成し、第1スペーサ7aの側面にSiN膜からなる第2スペーサ7bを形成する。Bのイオン注入により高濃度拡散層2a,3aを形成し、高濃度拡散層2a,3a上にTiを形成し、熱処理によりシリサイド膜8を形成する。第2スペーサ7bを除去した後、Bをイオン注入し、第1スペーサ7aとシリサイド膜8との間におけるソース領域2およびドレイン領域3の表面に高濃度拡散領域2c,3cを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板または半導体層に一導電型の不純物領域が形成され、前記不純物領域上に低抵抗化のための低抵抗化膜が形成され、前記低抵抗化膜の端面に接するように前記一導電型の高濃度不純物領域が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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