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J-GLOBAL ID：200903065806063860

半導体光導波素子

Inventor：
鈴木 信夫

About 鈴木 信夫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102198
Publication number (International publication number)：1996297263
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高機能及び多機能の光源、受光素子等に適用可能な半導体光導波素子を提供すること。【構成】 活性層を有する第1の半導体光導波層及び前記活性層より十分に禁制帯幅が広い材料からなる第2の半導体光導波層から構成される光導波路と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長を電気的に制御する手段とを具備し、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長は、前記活性層への電流注入により生じる誘導放出利得波長帯域内に設定されていることを特徴とする半導体光導波素子。
Claim (excerpt)：
活性層を有する第1の半導体光導波層及び前記活性層より十分に禁制帯幅が広い材料からなる第2の半導体光導波層から構成される光導波路と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長を電気的に制御する手段とを具備し、前記第2の半導体光導波層のバンド内吸収の共鳴波長は、前記活性層への電流注入により生じる誘導放出利得波長帯域内に設定されていることを特徴とする半導体光導波素子。
IPC (4)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/19
FI (4)：
G02F 1/025 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/19 ,  G02B 6/12 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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