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J-GLOBAL ID：200903065834491001

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

Inventor：
岩佐 成人

About 岩佐 成人

, 
長浜 慎一

About 長浜 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137162
Publication number (International publication number)：2003338638
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、第1表面は、p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ第2表面は、第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成する。
Claim (excerpt)：
サファイア基板上にn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、前記サファイア基板を50〜300μmの厚さまで研磨する工程と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層をエッチングすることで前記サファイア基板の表面を露出させる工程と、前記露出させたサファイア基板の表面に前記サファイア基板の厚さの5%以上の深さでスクライブラインを形成する工程と、前記スクライブラインにおいて各チップに分離する工程とを含む窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/02
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/02
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA34 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172042   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平3-094482
  • 半導体薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-342584   Applicant：旭化成工業株式会社
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Cited by examiner (16)
  • 特開平3-094482
  • 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172042   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-342584   Applicant：旭化成工業株式会社
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