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J-GLOBAL ID:200903065886353880

基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001019195
Publication number (International publication number):2002222806
Application date: Jan. 26, 2001
Publication date: Aug. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 基板の温度均一性に加えガスが処理室内で基板の表面に沿ってより均一に流れ、しかも基板の昇降温速度を高めることができるようにした基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板Wを搬入し内部にガスを導入して該基板Wの表面に処理を施す処理室10と、該処理室10内に搬入した基板Wを加熱する加熱部18とを有し、処理室10の周壁の互いに対向する位置には、処理室10内に搬入した基板Wの表面に沿って一方向に向け一様にガスを流通させるガス流入部20とガス排出部22が設けられている。
Claim (excerpt):
基板を搬入し内部にガスを導入して該基板の表面に処理を施す処理室と、該処理室内に搬入した基板を加熱する加熱部とを有し、前記処理室の周壁の互いに対向する位置には、前記処理室内に搬入した基板の表面に沿って一方向に向け一様にガスを流通させるガス流入部とガス排出部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (6):
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/68
FI (6):
H01L 21/31 B ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/68 N
F-Term (36):
4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030EA06 ,  4K030GA02 ,  4K030GA13 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  5F031CA01 ,  5F031CA02 ,  5F031HA61 ,  5F031HA62 ,  5F031HA64 ,  5F031HA65 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F045AF19 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB08 ,  5F045EC05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EG01 ,  5F045EK06 ,  5F045EK11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK24 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-081392   Applicant:東京エレクトロン東北株式会社
  • 拡散装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-236399   Applicant:国際電気株式会社

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