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J-GLOBAL ID:200903065918528148

ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998106629
Publication number (International publication number):1999305436
Application date: Apr. 16, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 現像液として塩基性水溶液を使用でき、実用可能な感度を有し、膨潤のない微細パターンを形成することができるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性基を有し、皮膜形成性の、塩基性水溶液に可溶性の重合体と、ビニルエーテル構造を有する化合物と、前記ビニルエーテル構造を有する化合物が結像用放射線を吸収して分解され、前記アルカリ可溶性基の保護基となるように作用する光酸発生剤とを含み、塩基性水溶液に可溶であり、露光後は露光部がアルカリに不溶となる、塩基性水溶液で現像可能なネガ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。
Claim (excerpt):
アルカリ可溶性基を有し、皮膜形成性の、塩基性水溶液に可溶性の重合体と、ビニルエーテル構造を有する化合物と、前記ビニルエーテル構造を有する化合物が結像用放射線を吸収して分解され、前記アルカリ可溶性基の保護基となるように作用する光酸発生剤とを含み、塩基性水溶液に可溶であり、露光後は露光部がアルカリに不溶となることを特徴とする、塩基性水溶液で現像可能なネガ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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