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J-GLOBAL ID:200903065922420050

アモルファス多層構造およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997079016
Publication number (International publication number):1997245626
Application date: Mar. 13, 1997
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 水素含有による安定性の問題を招くことなく、堆積条件を容易かつ正確に制御するアモルファス多層構造の製造方法を提供する。【解決手段】 アモルファス多層構造(100,200)は、i)物理蒸着装置(300,400,500)内に堆積基板(101)を配置する段階;ii)物理蒸着装置(300,400,500)内でマルチ・フェーズ物質の先駆体をイオン化する段階;iii)イオンの全イオン衝突エネルギを変調し、この全イオン衝突エネルギ値に対応する所定の特性を有する層を堆積する段階を含む方法によって形成する。
Claim (excerpt):
アモルファス多層構造(100,200)を形成する方法であって:減圧容器(306,406,506)を有する物理蒸着装置(300,400,500)を用意する段階;前記減圧容器(306,406,506)内に堆積基板(101)を用意する段階;前記減圧容器(306,406,506)内にマルチ・フェーズ物質の先駆体(307,407,507)を用意する段階;マルチ・フェーズ物質の前記先駆体(307,407,507)をイオン化することにより、全イオン衝突エネルギを有する複数のプラズマ・イオンを有するガス・プラズマを形成する段階;および時間に対して所定の方法で前記全イオン衝突エネルギを変調することによって、前記堆積基板(101)上に、前記全イオン衝突エネルギの値に対応する所定の特性を有する複数の層を堆積する段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2):
H01J 9/02 ,  H01J 1/30
FI (2):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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