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J-GLOBAL ID：200903065951691755

窒化物半導体素子

Inventor：
谷沢 公二

About 谷沢 公二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999159482
Publication number (International publication number)：2000349337
Application date： Jun. 07, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のn層側にn型不純物としてSiをドープし、さらにそのドープする層を限定することで、n層側からのドナーの供給を補うことができ、発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる。
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、量子井戸からなりn型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層に含まれるn型不純物濃度はn層側の方がp層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (20)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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